• 详细信息

    FT-300TZ两探针电阻率测试仪 
    一、功能介绍:

    适用于半导体材料企业、科研、高等院校实验室分析半导体材料纵向电阻率可测量横截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,试样长度与截面尺寸之比应不小于3:1配置测量平台,正反向电流测量模式;液晶显示,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,可选购PC软件实时数据和报表管理;提供中文或英文两种语言操作界面选择.
    .参照标准:
    FT-300TZ两探针电阻率测试仪 
    GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法-方法2直流两探针法
    SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针法>>
    三、参数 资料
    1.电阻率:10^-72×10^7Ω-cm
    2. 阻:10^-72×10^7Ω
    3.电导率:5×10^-710^7s/cm
    4.分辨率: 0.1μΩ 测量误差±0.05%读数±5字)
    5.测量电压量程: 2mV   20mV  200mV 2V 测量精度±0.1%读数)
    6.分辨率:  0.1uV  1uV  10uV  100uV
    7.电流输出:直流电流 01000mA 连续可调,
    量程:1μA10μA100µA1mA10mA1000mA, 误差:±0.2%读数±2
    8.显示方式:液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压等.
    9.温度要求:23℃±1
    10.电源:220±10% 50HZ/60HZ
    11. 测量平台参数如下:
    FT-300TZ两探针电阻率测试仪 
    1.可测硅芯、检验棒尺寸:直径4~22 (其他规格可定制)
    2).探针头探针与试样接触位置重复,无横向移动。
    3).两探针测试探针。探头间距1.59mm(其他规格可定制);探针机械游率:±0.3%。
    4).探针直径0.8㎜探针压力总6-12N,探针材料:钨
    5.探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109
    12.标配外选购项a.pc软件1套;b.标准电阻1件;c.电脑和打印机
     


     
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